| 价 格: | 面议 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 型号/规格: | IRF630N | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形: | CHIP/小型片状 | |
| 材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
| 开启电压: | 正负20V(V) | |
| 夹断电压: | 200(V) | |
| 低频跨导: | 4.9(μS) | |
| 极间电容: | 486(pF) | |
| 漏极电流: | 9.3A(mA) | |
| 耗散功率: | 82W(mW) |
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IRF630N IR TO-220 是IR国际整流器公司(IR INTERNATIONAL RECTIFIER)原产场效应晶体管,200V的单N沟道HEXFET功率MOSFET,采用TO-220AB封装,特性:先进的工艺技术,超低导通电阻,动态的DV/DT评价,175摄氏度工作温度,快速开关,充分额定雪崩.先进的HEXFETAL功率MOSFET来自国际先进的整流器加工技术,实现极低的每只芯片面积阻力,它的优点综合了快速开关速度和加固装置设计,HEXFET功率MOSFET为大众所熟悉源于其在各种应用设计的使用中提供了一个非常有效和可靠的装置.TO-220封装是所有工业商业,其功耗水平大约50瓦特.低热阻以及TO-220封装的低成本有助于其在整个行业被广泛接受.
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