供应MOS-N N沟道达林顿管 场效应管
| 价 格： | 0.38 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | MOS-N LY5802 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | /（V） | |
| 夹断电压： | /（V） | |
| 极间电容： | /（pF） | |
| 低频噪声系数： | /（dB） | |
| 漏极电流： | /（mA） | |
| 耗散功率： | /（mW） |
工作原理
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
dzsc/18/8725/18872501.jpg
dzsc/18/8725/18872501.jpg
dzsc/18/8725/18872501.jpg
dzsc/18/8725/18872501.jpg
dzsc/18/8725/18872501.jpg
厦门随源电子科技有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：福建 厦门
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 张丽平86-0592-5933267
- 电话：0592-5933267
- 传真：-
- 手机：
- QQ ：
公司相关产品
