【华强实体店供应】绝缘场效应管 FQPF13N50/13N50
| 价 格： | 3.50 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FQPF13N50C | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | 0V | |
| 开启电压： | 2-4V | |
| 漏极电流： | 13A |
產品相片 TO-220F
標準包裝 1,000
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 通孔
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 13A
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 480毫歐姆@ 6.5A，10V
輸入電容(Ciss)@Vds 2055pF @ 25V
功率 - 48W
封裝 管裝
閘電流(Qg) @ Vgs 56nC @ 10V
封裝/外殼 TO-220F
FET Feature Standard
其他名稱 FQPF13N50C FQPF13N50C-ND
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 欧阳立
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【华强实体店供应】原装大电流场效应管 IRF3205/IRF3205PBF
信息内容：描述电流, Id 连续:110A电压, Vds :55V在电阻RDS（上）:0.0049ohm电压 @ Rds测量:10V封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功耗:170W电压, Vgs :20V
供应大功率场效应管 IXFH26N60Q/26N60
信息内容：描述晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 值:26A电压, Vds :600V开态电阻, Rds(on):0.25ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs :20V功耗:360W工作温度范围:-55°C to +150°C封装类型:TO-247针脚数:3N沟道栅极电荷 Qg:150nC功率, Pd:360W单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J封装类型:TO-247时间, trr 典型值:250ns晶体管数:1晶体管类型:MOSFET重复雪崩能量 Ear:45mJ温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:600V电压变化率 dv/dt:5V/ns电流, Id 连续:26A电流, Idm 脉冲:104A结温, Tj :-55°C结温, Tj :150°C表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on :0.25ohm重量:6g阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V阈值电压, Vgs th :4.5V
