供应大功率场效应管 IXFH26N60Q/26N60
| 价 格： | 30.00 | |
| 品牌/商标： | IXYS/艾赛斯 | |
| 型号/规格： | IXFH26N60Q | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 4.5（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 漏极电流： | 26A（mA） | |
| 耗散功率： | 360W（mW） |
描述
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 值:26A
- 电压, Vds :600V
- 开态电阻, Rds(on):0.25ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs :20V
- 功耗:360W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-247
- 针脚数:3
- N沟道栅极电荷 Qg:150nC
- 功率, Pd:360W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:1.5J
- 封装类型:TO-247
- 时间, trr 典型值:250ns
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 重复雪崩能量 Ear:45mJ
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电压变化率 dv/dt:5V/ns
- 电流, Id 连续:26A
- 电流, Idm 脉冲:104A
- 结温, Tj :-55°C
- 结温, Tj :150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on :0.25ohm
- 重量:6g
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th :4.5V
深圳市福田区华强广场新原电子销售部
公司信息未核实
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
- 手机：
- QQ ：
公司相关产品
【华强实体店供应】贴片场效应管 IRFRC20/FRC20
信息内容：類別 離散半導體產品 家庭 MOSFET - 單 安裝類型 表面黏著式 FET型 N通道 漏極至源極的電壓(Vdss) 600V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 2A 開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 4.4歐姆@ 1.2A，10V 輸入電容(Ciss)@Vds 350pF @ 25V 功率 - 42W 封裝 編帶和捲軸封裝(TR) 閘電流(Qg) @ Vgs 18nC @ 10V 封裝/外殼 DPak (TO-252) 閘極至源極的電壓（Vgs） 20V
【华强实体店供应】贴片高压场效应管 SPD02N60S5/02N60S5/02N60
信息内容：MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 dzsc/18/8748/18874803.jpg 应用案例：dzsc/18/8748/18874803.jpgdzsc/18/8748/18874803.jpgdzsc/18/8748/18874803.jpgdzsc/18/8748/18874803.jpgdzsc/18/8748/18874803.jpg
