供应场效应管 TK15E60U,K15E60U
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 型号/规格： | TK15E60U,TO-220,DIP/MOS,N场,600V,15A,0.3Ω | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA/东芝 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:TK15E60U
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):15
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.3 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):170
极间电容Ciss(PF):950
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：8.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):81
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,15A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)
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场效应管 BSC886N03LSG,886N03LS
信息内容：BSC886N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,65A,0.006ΩMOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.产品型号:BSC886N03LSG源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):65源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006Ω开启电压VGS(TH)(V):2.2功率PD(W):39极间电容Ciss(PF):2100通道极性:N沟道封装/温度(℃):QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 /-55 ~150描述:30V 65A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
场效应管 SSM1N60A SSM1N60 BSP300
信息内容：dzsc/18/8725/18872574.jpgSSM1N60A,MOS,600V,1ABSP300,MOS,800V,0.19A,20Ω,223
