场效应管 BSC886N03LSG,886N03LS
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | BSC886N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,65A,0.006Ω | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
BSC886N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,65A,0.006Ω
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:BSC886N03LSG
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):65
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006Ω
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):39
极间电容Ciss(PF):2100
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 /-55 ~150
描述:30V 65A N-Channel 功率MOSFET
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场效应管 SSM1N60A SSM1N60 BSP300
信息内容：dzsc/18/8725/18872574.jpgSSM1N60A,MOS,600V,1ABSP300,MOS,800V,0.19A,20Ω,223
TOSHIBA,SANYO,PHILIPS,场效应
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