价 格: | 2.30 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDF9N60TH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 7000(μS) | |
极间电容: | 1160(pF) | |
漏极电流: | 9000(mA) | |
耗散功率: | 48000(mW) |
N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.75Ω
•封装类型:TO-220F
•VDS=600V
•VDS= 660V @ Tjmax
•ID= 9.0A @ VGS = 10V
•RDS(ON)≤ 0.75Ω @ VGS = 10V
•耗散功率:48W
•工作温度范围:-55 ~ 150°C
Cool MOS Power Transistor •工作温度范围:-55 ~ 150°C
autoprotected Power MOSFET •开启延迟时间:90ns •关断延迟时间:450ns •漏源极夹断电压:40V •开态电阻RON:120mΩ •封装类型:SO-8 •针脚数:8 •安装形式:表贴 •配置图(顶视图) dzsc/18/8727/18872791.jpg