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场效应管 SSH6N80,FQP6N80,7N90,6N80

价 格: 面议
漏极电流:6A
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
型号/规格:SSH6N80,TO-3P,FAIRCHILD,DIP/MOS,800V.6A
材料:N-FET硅N沟道
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型
电压:800V

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 MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
700V N沟道 场效应管(MOSFET):
FQPF2N70 FAIRCHILD TO-220F
STP9NK70ZFP ST TO-220F
800V N沟道 场效应管(MOSFET):
STD3NK80Z-1,TO-251,ST,06NPB,DIP/MOS,800V,2.5A,4.5Ω
STW11NM80,TO-247,ST,07NPB,DIP/MOS,800V,11A,0.4Ω
FQD1N80 FAIRCHILD SOT-252
FQD2N80TM FAIRCHILD SOT-252
SPD02N80C3 infineon SOT-252
SPD04N80C3 infineon SOT-252
SPD06N80C3 infineon SOT-252
2SK2646 FUJ TO-220
BUZ78 SIEMENS TO-220
BUZ80A SIEMENS TO-220
FQP3N80 FAIRCHILD TO-220
FQP6N80散 FAIRCHILD TO-220
IRFBE20 IR TO-220
SPP11N80C3 infineon TO-220
SPP17N80C3 infineon TO-220
2SK2101-01MR PB FUJ TO-220F
FQPF3N80 FAIRCHILD TO-220F
FQPF8N80C FAIRCHILD TO-220F
SPA06N80C3 infineon TO-220F
SPA17N80C3 infineon TO-220F
SSS4N80AS FAIRCHILD TO-220F
STF11NM80 ST TO-220F
STP3NB80FP ST TO-220F
STP3NB80FP ST TO-220F
STP5NK80ZFP ST TO-220F
STP7NC80FP ST TO-220F
STP8NK80ZFP ST TO-220F
STP9NB80FP ST TO-220F
SPW11N80C3 infineon TO-247
STW12NK80Z ST TO-247
STW8NK80Z ST TO-247
2SK2648 FUJ TO-3P
2SK2765 FUJ TO-3P
2SK956 FUJ TO-3P
FQA7N80 FAIRCHILD TO-3P
IXFH13N80 IXYS TO-3P
IXFH9N80 IXYS TO-3P
SSH6N80 FAIRCHILD TO-3P
SSH7N80A FAIRCHILD TO-3P
SSH8N80 FAIRCHILD TO-3P
FQAF10N80 FAIRCHILD TO-3PF
FQAF7N80 FAIRCHILD TO-3PF
SSF10N80A FAIRCHILD TO-3PF
SSF9N80A FAIRCHILD TO-3PF
900V N沟道 场效应管(MOSFET):
2SK2767 FUJ TO-220
FQP2N90 FAIRCHILD TO-220
SSP3N90A FAIRCHILD TO-220
2SK3566 TOSHIBA TO-220F
FS3KM-18A RENESAS/瑞萨 TO-220F
SSS3N90A FAIRCHILD TO-220F
STF3HNK90Z ST TO-220F
2SK2654 FUJ TO-3P
2SK2850 FUJ TO-3P
2SK962 FUJ TO-3P
FQA11N90 FAIRCHILD TO-3P
FQA5N90A FAIRCHILD TO-3P
FQA9N90C FAIRCHILD TO-3P
SSH5N90 FAIRCHILD TO-3P
FQAF7N90 FAIRCHILD TO-3PF
1000V N沟道 场效应管(MOSFET):
FQD2N100-729 FAIRCHILD SOT-252
IRFBG30 IR TO-220
IRFPG30 IR TO-247
IRFPG40 IR TO-247
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深圳市金城微零件有限公司
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产品型号:AP60T03GH封装:SOT-252/DPAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):45源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):44极间电容Ciss(PF):1135通道极性:N沟道低频跨导gFS(s):25单脉冲雪崩能量EAS(mJ):温度(℃): -55 ~175描述:30V,45A N-channel MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

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600V场效应管,TK12J60U,K12J60U

信息内容:

<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.600V,N沟道贴片场效应管(MOSFET):STB3NK60Z,SOT-263,ST,08NPB,SMD/MOS,600V,2.4A,3.6ΩSTB13NK60Z,SOT-263,ST,08NPB,SMD/MOS,600V,13A,0.55ΩSSM1N60A FAIRCHILD SOT-223AP01N60H AP/富鼎 SOT-252AP02N60H AP/富鼎 SOT-252FQD1N60C FAIRCHILD SOT-252IRFRC20 IR SOT-252MTD1N60ET4 ON SOT-252SPD01N60C3 infineon SOT-252SPD02N60C3 infineon SOT-252SPD03N60C3 infineon SOT-252SPD03N60S5 infineon SOT-252SPD04N60C3 infineon SOT-252SSR2N60B FAIRCHILD SOT-252MTB6N60ET4 MOT SOT-263SPB04N60S5 infineon SOT-263SPB11N60S5 infineon SOT-263600V,N沟道贴片直插场效应管(MOSFET):2SK3371 SOT-252 TOSHIBA SMD/MOS N场 600V 1A 9ΩTK12J60U TO-3P TOSHIBA DIP/MOS N场 600V 12A 0.4ΩBLV730 TO-220 400V 5.5A ...

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