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场效应管 AP60T03GH 60T03GH AP60T03H

价 格: 面议
漏极电流:45A
封装外形:SMD(SO)/表面封装
型号/规格:AP60T03GH,MOS,30V,45A,0.012Ω AP60T03H,MOS,30V,45A,0.012Ω,252
材料:P-FET硅P沟道
品牌/商标:AP/富鼎
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
夹断电压:20
导电方式:增强型
极间电容:1820

产品型号:AP60T03GH

封装:SOT-252/DPAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):45

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):44

极间电容Ciss(PF):1135

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):25

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,45A N-channel MOSFET


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深圳市金城微零件有限公司
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