价 格: | 面议 | |
漏极电流: | 45A | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | AP60T03GH,MOS,30V,45A,0.012Ω AP60T03H,MOS,30V,45A,0.012Ω,252 | |
材料: | P-FET硅P沟道 | |
品牌/商标: | AP/富鼎 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
夹断电压: | 20 | |
导电方式: | 增强型 | |
极间电容: | 1820 |
产品型号:AP60T03GH
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):45
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):44
极间电容Ciss(PF):1135
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):25
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,45A N-channel MOSFET
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FMV07N70E,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,700V,7A,<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话 MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.700V N沟道 场效应管(MOSFET):STW9NK70Z TO-247 ST DIP/MOS N场 700V 7.5A 1.2ΩW9NK70Z TO-247 ST DIP/MOS N场 700V 7.5A 1.2Ω9NK70 TO-247 ST DIP/MOS N场 700V 7.5A 1.2ΩFQPF2N70 FAIRCHILD TO-220FSTP9NK70ZFP ST TO-220F800V N沟道 场效应管(MOSFET):KHB4D0N80F1,TO-220F,KEC,DIP/MOS,N场,800V,4A,3.6ΩSTD3NK80Z-1,TO-251,ST,06NPB,DIP/MOS,800V,2.5A,4.5ΩSTW11NM80,TO-247,ST,07NPB,DIP/MOS,800V,11A,0.4ΩFQD1N80 FAIRCHILD SOT-252FQD2N80TM FAIRCHILD SOT-252SPD02N80C3 infineon SOT-252SPD04N80C3 infineon SOT-252SPD06N80C3 infineon SOT-2522SK2646 FUJ TO-220BUZ78 SIEMENS TO-220BUZ80A SIEMENS TO-220FQP3N80 FAIRCHILD TO-220FQP6N80散 FAIRCHILD TO-220IRFBE20 IR TO-220SP...