价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | STF15NM65N | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 4(V) | |
极间电容: | 983(pF) | |
漏极电流: | 12000(mA) | |
耗散功率: | 30000(mW) |
• VDS=710V
• ID=12A
• 导通电阻:R<0.38Ω
• 总耗散功率:30W
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
600V N-Channel MOSFET •开启延迟时间:30-70 ns •关断延迟时间:140-280ns •工作温度范围:-55 to +150°C •封装:TO-220 •针脚数:3 •开态电阻RDS(on) :0.65Ω •漏极电流:12A •功率损耗:225W
N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.75Ω •封装类型:TO-220F •VDS=600V •VDS= 660V @ Tjmax •ID= 9.0A @ VGS = 10V •RDS(ON)≤ 0.75Ω @ VGS = 10V •耗散功率:48W •工作温度范围:-55 ~ 150°C