价 格: | 2.50 | |
品牌: | FUJI/富士通 | |
型号: | FMV12N50ES | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | L/功率放大 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 500(V) | |
夹断电压: | 500(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 120(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
优势供应场富士FMV12N50ES 12N50E 12A500V场效应管全新原装现货
dzsc/18/8719/18871941.jpg
dzsc/18/8719/18871941.jpg
dzsc/18/8719/18871941.jpg
优势供应可控硅BCR1AM-12 TO-92 全新原装现货 优势供应可控硅BCR1AM-12 全新原装现货 dzsc/18/8722/18872265.jpgdzsc/18/8722/18872265.jpg"
优势供应FAIRCHILD场效应管FQPF13N50C FQPF13N50全新原装 dzsc/18/8729/18872906.jpgdzsc/18/8729/18872906.jpg"