价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFR210 200V 2.6A | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 4(V) | |
极间电容: | 140(pF) | |
漏极电流: | 2,600(mA) | |
耗散功率: | 2,500(mW) |
IRFR210中文资料:
制造商 | International Rectifier |
制造商零件编号 | IRFR210TRPBF |
描述 | MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | - |
FET型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C | 1.5欧姆 @ 1.6A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A |
Id时的 Vgs(th)() | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 25V |
功率 - | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线+接片), SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片:
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FDD6680A中文资料: 制造商Fairchild Semiconductor制造商零件编号FDD6680A描述MOSFET N-CH 30V 14A DPAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列PowerTrench®FET型MOSFET N通道,金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C9.5毫欧 @ 14A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14AId时的 Vgs(th)()3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1425pF @ 15V功率 - 1.3W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2引线+接片), SC-63供应商设备封装D-Pak包装带卷 (TR)公司照片:dzsc/18/8730/18873018.jpgdzsc/18/8730/18873018.jpgdzsc/18/8730/18873018.jpgdzsc/18/8730/18873018.jpg 备注: 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。 FDD6680A订购及咨询: 深圳市丰尔电子有限公司 电话:0755-83687516(7线) 商务QQ:120279071 MSN: jason-yufo@hotmail.com E-mail:yufo_ic@163.com 手机: 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站:http://www.yufo-ic.cn/