| 价 格: | 面议 | |
| 品牌: | IR/国际整流器 | |
| 型号: | IRF640NPBF | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
| 开启电压: | 200(V) | |
| 夹断电压: | 800(V) | |
| 低频跨导: | 10(μS) | |
| 极间电容: | 1160(pF) | |
| 低频噪声系数: | 90(dB) | |
| 漏极电流: | 18A(mA) | |
| 耗散功率: | 150W(mW) |
现货供应IRF640NPBF IR DIP TO-220 全新原装,无铅环保,批号:10+,09+,品质优良,欢迎选购!
IRF640NPBF IR TO-220AB 是IR国际整流器半导体公司原产场效应管,200V的单N沟道HEXFET功率MOSFET,200V,18A,100毫欧,18NC,焊接与贮藏温度:-55℃--175℃,QG TYP(NC):44.7,QGD TYP(NC):22.0,VBRDSS(V):200,VGS MAX(V):20,RDS(ON)MAX10V(MOHMS):150.0,ID@TC=25C(A):18,ID@TC=100C(A):13,RTH(JC)(K/W):1.00,电源消耗@TC=25C(W):150,应用于开关电源,逆变器,控制器,充电器,UPS电源,符合欧盟ROHS认证执行标准。
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