价 格: | 1.90 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFR1205TRPBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2-4(V) | |
夹断电压: | 0(V) | |
漏极电流: | 37A(mA) | |
耗散功率: | 69W(mW) |
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
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应用:
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N-FET 50A60V TO-220F ApplicationHigh speed power switchingFeatures· Low on-resistance· RDS(on) = 7 mW typ.· High speed switching· 4 V gate drive device can be driven from 5 V source"
描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:5.5A电压, Vds :400V在电阻RDS(上):1ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:74W功耗:74W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:5.5A热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:400V电压, Vgs :30V电流, Idm 脉冲:22A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :4.5V"