价 格: | 5.00 | |
品牌/商标: | RENESAS/瑞萨 | |
型号/规格: | 2SK2529 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2-4(V) | |
夹断电压: | 0(V) | |
漏极电流: | 50A(mA) |
N-FET 50A60V TO-220F
Application
High speed power switching
Features
· Low on-resistance
· RDS(on) = 7 mW typ.
· High speed switching
· 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:5.5A电压, Vds :400V在电阻RDS(上):1ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:74W功耗:74W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:5.5A热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:400V电压, Vgs :30V电流, Idm 脉冲:22A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :4.5V"
应用案例: dzsc/18/8724/18872480.jpg 類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 表面黏著式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 55V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 17A開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 75毫歐姆@ 10A,10V輸入電容(Ciss)@Vds 370pF @ 25V功率 - 45W封裝 編帶和捲軸封裝(TR)閘電流(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V封裝/外殼 DPak (TO-252) 閘極至源極的電壓(Vgs) 20V