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供应绝缘型场效应管 FQPF9N50

价 格: 2.00
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:FQPF9N50C
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:2-4(V)
夹断电压:0(V)
漏极电流:9A(mA)
耗散功率:44W(mW)

產品相片 TO-220F

Pkg 標準包裝 1,000

類別 離散半導體產品

家庭 MOSFET - 單

安裝類型 通孔

FET型 N通道

漏極至源極的電壓(Vdss) 500V

電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 9A

開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 800毫歐姆@ 4.5A,10V

輸入電容(Ciss)@Vds 1030pF @ 25V

功率 - 44W

封裝 管裝

閘電流(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V

封裝/外殼 TO-220F

FET Feature Standard

"

深圳市福田区华强广场新原电子销售部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 欧阳立
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【华强实体店供应】贴片场效应管 STD4NK50ZT4/STD4NK50/D4NK50

信息内容:

描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:3A电压, Vds :500V在电阻RDS(上):2.7ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V封装类型:D-PAKSVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:45W功耗:45W封装类型:DPAK晶体管类型:电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:500V电压, Vds 典型值:500V电流, Idm 脉冲:12A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2.7ohm阈值电压, Vgs th :2.7V

详细内容>>

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信息内容:

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package dzsc/18/8710/18871002.jpg 应用案例: dzsc/18/8710/18871002.jpg

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