价 格: | 2.00 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | FQPF9N50C | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2-4(V) | |
夹断电压: | 0(V) | |
漏极电流: | 9A(mA) | |
耗散功率: | 44W(mW) |
產品相片 TO-220F
Pkg 標準包裝 1,000
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 通孔
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 9A
開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 800毫歐姆@ 4.5A,10V
輸入電容(Ciss)@Vds 1030pF @ 25V
功率 - 44W
封裝 管裝
閘電流(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
封裝/外殼 TO-220F
FET Feature Standard
"描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:3A电压, Vds :500V在电阻RDS(上):2.7ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V封装类型:D-PAKSVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:45W功耗:45W封装类型:DPAK晶体管类型:电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:500V电压, Vds 典型值:500V电流, Idm 脉冲:12A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2.7ohm阈值电压, Vgs th :2.7V
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package dzsc/18/8710/18871002.jpg 应用案例: dzsc/18/8710/18871002.jpg