【华强实体店供应】贴片高压场效应管 FQD1N60C/FQD1N60/1N60
| 价 格： | 0.80 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FQD6N60C | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2-4（V） | |
| 夹断电压： | 0（V） | |
| 极间电容： | 130（pF） | |
| 漏极电流： | 1000（mA） | |
| 耗散功率： | 28000（mW） |
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信息内容：產品相片 TO-220FPkg 標準包裝 1,000類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 通孔FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 500V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 9A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 800毫歐姆@ 4.5A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 1030pF @ 25V功率 - 44W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V封裝/外殼 TO-220FFET Feature Standard"
【华强实体店供应】贴片场效应管 STD4NK50ZT4/STD4NK50/D4NK50
信息内容：描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:3A电压, Vds :500V在电阻RDS（上）:2.7ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V封装类型:D-PAKSVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:45W功耗:45W封装类型:DPAK晶体管类型:电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:500V电压, Vds 典型值:500V电流, Idm 脉冲:12A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2.7ohm阈值电压, Vgs th :2.7V
