仙童、FQPF13N50C、13N50、MOS管、场效应管、开关电源
| 价 格： | 0.01 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | FQPF13N50C | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2（V） | |
| 夹断电压： | 500（V） | |
| 极间电容： | 20（pF） | |
| 低频噪声系数： | 2（dB） | |
| 漏极电流： | 13000（mA） | |
| 耗散功率： | 48000（mW） |
Features
• TO-220F，13A, 500V, RDS(on) = 0.48Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 43 nC)
• Low Crss ( typical 20pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
- 所属城市：广东 深圳
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仙童FQPF18N50V2、MOS管、18N50、TO-220F
信息内容：Features• TO-220F,18A, 500V, RDS(on) = 0.265Ω @VGS = 10 V•Low gate charge ( typical 45 nC)•Low Crss ( typical 25 pF)•Fast switching•100% avalanche tested•Improved dv/dt capability
供应仙童FQP5N60C，5N60，MOS管5N60，场效应管5N60，TO-220
信息内容：General DescriptionThese N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored tominimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in theavalanche and commutation mode. These devices are wellsuited for high efficiency switched mode power supplies,active power factor correction, electronic lamp ballastsbased on half bridge topology.Features• 4.5A, 600V, RDS(on) = 2.5Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 15 nC)• Low Crss ( typical 6.5 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability
