价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFB5615PBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | NF/音频(低频) | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
夹断电压: | 20(V) | |
跨导: | 35000(μS) | |
极间电容: | 1750(pF) | |
漏极电流: | 35000(mA) | |
耗散功率: | 144000(mW) |
•导通电阻:RDS(on) = 0.039Ω
•封装形式:TO-220ABN−Channel 6Amps 150 Volts Power MOSFET •无铅包装 •封装:DPAK(TO-252) •工作温度范围:-65 to 150°C •开启延迟时间:50ns •关断延迟时间:200ns •导通电阻: R=300mΩ •耗散功率: PD=20W
Fairchild Power Switch(FPS)适用于:便携式相机适配器,打印机,扫描仪,机顶盒电源等封装形式:TO-220F-4L(弯脚)工作环境温度Ta=-25 ~85°C工作结温TJ=+160°C导通电阻RDS(ON)≤5.0Ω "