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供应安森美功率MOS管——MTD6N15

价 格: 面议
品牌/商标:0N/安森美
型号/规格:MTD6N15
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
跨导:2500(μS)
极间电容:1200(pF)
漏极电流:6000(mA)
耗散功率:20000(mW)

 N−Channel  6Amps 150 Volts Power MOSFET

 •无铅包装

 •封装:DPAK(TO-252)

 •工作温度范围:-65 to 150°C

 •开启延迟时间:50ns

 •关断延迟时间:200ns

 •导通电阻: R=300mΩ

 •耗散功率: PD=20W

 

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
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• VDS=1000V • ID=3.5A• 导通电阻:R<3.7Ω• 总耗散功率:125W• 工作温度范围:-50 ~ 150°C "

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