价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | 0N/安森美 | |
型号/规格: | MTD6N15 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | V-FET/V型槽MOS | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
跨导: | 2500(μS) | |
极间电容: | 1200(pF) | |
漏极电流: | 6000(mA) | |
耗散功率: | 20000(mW) |
N−Channel 6Amps 150 Volts Power MOSFET
•无铅包装
•封装:DPAK(TO-252)
•工作温度范围:-65 to 150°C
•开启延迟时间:50ns
•关断延迟时间:200ns
•导通电阻: R=300mΩ
•耗散功率: PD=20W
Fairchild Power Switch(FPS)适用于:便携式相机适配器,打印机,扫描仪,机顶盒电源等封装形式:TO-220F-4L(弯脚)工作环境温度Ta=-25 ~85°C工作结温TJ=+160°C导通电阻RDS(ON)≤5.0Ω "
• VDS=1000V • ID=3.5A• 导通电阻:R<3.7Ω• 总耗散功率:125W• 工作温度范围:-50 ~ 150°C "