价 格: | 1.00 | |
品牌: | SINO-IC | |
型号: | SE1N60 N沟道MOS TO-220F | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | AM/调幅 | |
封装外形: | SP/特殊外形 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 1(V) | |
夹断电压: | 1(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 1(mA) | |
耗散功率: | 1(mW) |
主要MOS型号:SE2102E,SE7401U,SE8205,SE8205A,SE8810,SE8810A,SE8209,SE8209A,SE2301,SE2305,SE2306,SE3400,SE3401,SE2N7002,SE9435,SE4953,SE4606,SED5852,SED5853,SE1N60, SE2N60, SE4N60, SE5N60dzsc/18/8704/18870414.jpg
dzsc/18/8704/18870414.jpg
主要MOS型号:SE2102E,SE7401U,SE8205,SE8205A,SE8810,SE8810A,SE8209,SE8209A,SE2301,SE2305,SE2306,SE3400,SE3401,SE2N7002,SE9435,SE4953,SE4606,SED5852,SED5853,SE1N60, SE2N60, SE4N60, SE5N60dzsc/18/8704/18870416.jpgdzsc/18/8704/18870416.jpg"
dzsc/18/8708/18870832.jpgdzsc/18/8708/18870832.jpgdzsc/18/8708/18870832.jpg光宇睿芯微电子四大比较优势:1)性能、参数优异,可以和国外同类产品媲美;2)交货周期短,交货及时;3)价格适中;4)研发能力突出,可根据客户的需求研发出性能独特且满足客户需求的产品。”