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锂电池MOS SE8209 SINO-IC

价 格: 600.00
品牌:SINO-IC
型号:SE8209
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:AM/调幅
封装外形:SP/特殊外形
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:20(V)
夹断电压:20(V)
低频跨导:1(μS)
极间电容:1(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:1(mA)
耗散功率:1(mW)

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光宇睿芯微电子四大比较优势:1)性能、参数优异,可以和国外同类产品媲美;2)交货周期短,交货及时;3)价格适中;4)研发能力突出,可根据客户的需求研发出性能独特且满足客户需求的产品。”

上海光宇睿芯微电子有限公司
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SE2N60 N沟道MOS TO-252

信息内容:

主要MOS型号:SE2102E,SE7401U,SE8205,SE8205A,SE8810,SE8810A,SE8209,SE8209A,SE2301,SE2305,SE2306,SE3400,SE3401,SE2N7002,SE9435,SE4953,SE4606,SED5852,SED5853,SE1N60, SE2N60, SE4N60, SE5N60dzsc/18/8730/18873089.jpgdzsc/18/8730/18873089.jpg更多型号欢迎访问www.sino-ic.cn,应用方案可参考www.sino-ic.com.或来电咨询:021-33932402-8040

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