| 价 格: | 0.90 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格: | IRF7807ATRPBF | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
| 用途: | S/开关 | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 功率 - 值: | 2.5W | |
| 电流 - 连续漏极: | 8.3A | |
| 漏源极电压 (Vdss): | 30V |
参数
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 8.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 25 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 17nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 未能识别
功率 - 值 2.5W
N沟道特定应用的MOSFET
移动式DC-DC转换器的理想选择
低传导损耗
低开关损耗
无铅
描述
这些新器件采用先进的HEXFET
功率MOSFET技术来实现的
前所未有的平衡的导通电阻和栅极
电荷。减少传导损耗和开关损耗
使他们成为理想的高效率DC-DC
电源的转换器,一代的移动
微处理器。
一对IRF7807器件提供了的成本/
系统的电压,如3.3V的高性能解决方案
和5V。
封装图片展示
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参数FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能 逻辑电平门漏源极电压 (Vdss) 30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 13.3A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 9 毫欧 @ 15A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 62nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 3780pF @ 16V功率 - 值 2.5WN-通道专用MOSFET处理CPU核心DC-DC转换器低传导损耗低开关损耗限度地减少并行MOSFET的高电流应用程序100%测试的RG无铅描述这种新的设备采用了先进的HEXFET功率MOSFET技术,实现了前所未有的导通电阻和栅极电荷平衡。减少传导和开关损耗,使得它非常适用于高高效DC-DC转换器,电源的代微处理器。所有参数进行了优化的IRF7809AV非常关键的同步降压转换器,包括RDS(上)栅极电荷和Cdv / dt引起导通免疫力。IRF7809AV提供特别低的RDS(on) 和高与Cdv /dt抗扰性同步FET应用程序的。该包装是专为气相,红外线,对流,或波峰焊技术。功率大于2W的功耗可能在一个典型的PCB安装的应用程序。 封装图片展示dzsc/18/8703/18870379.jpgdzsc/18/8703/18870379.jpgdzsc/18/8703/18870379.jpgdzsc/18/8703/18870379.jpgdzsc/18/8703/18870379.jpgdzsc/...
参数FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能 二极管(隔离式) 漏源极电压 (Vdss) 30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.5A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)32 毫欧 @ 5.8A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 33nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 650pF @ 25V功率 - 值 2W描述FETKY家庭的共同封装的MOSFET和肖特基二极管提供设计师的创新,电路板节省空间的解决方案,为开关稳压器和电源管理应用。第五代HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术,以实现极低的导通电阻每硅片面积。Combinining技术国际整流器公司在低正向压降的肖特基整流器结果非常有效的设备适合于使用在各种各样的便携式电子应用。SO-8已被修改通过定制引线框架热特性增强。SO-8封装是专为汽阶段,红外线或波峰焊技术。封装图片展示dzsc/18/8763/18876398.jpgdzsc/18/8763/18876398.jpgdzsc/18/8763/18876398.jpgdzsc/18/8763/18876398.jpgdzsc/18/8763/18876398.jpgdzsc/18/8763/18876398.jpgdzsc/18/8763/18876398.jpgdzsc/18/8763/18876398.jpg