价 格: | 1.75 | |
品牌: | 东光 | |
型号: | 8N60 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 2(V) | |
夹断电压: | 650(V) | |
跨导: | 4000(μS) | |
极间电容: | 965(pF) | |
低频噪声系数: | 23(dB) | |
漏极电流: | 750(mA) | |
耗散功率: | 147000(mW) |
原厂直销,价格优惠,质量保证!
产品参数 T=25
Characteristics(参数) | Symbol(符号) | Value(额定值) | Units(单位) |
漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
连续漏极电流 | I d | 8 | A |
栅源电压 | V gs | ±30 | V |
雪崩能量 | E as | 160 | mJ |
耗散功率 | P d | 130 | W |
储存温度 | T stg | -55~150 | ℃ |
热阻(结到壳) | R jc | 0.85 | ℃/W |
正向压降 | V sd | 1.4 | V |
dzsc/18/8712/18871254.jpgBT136 BT136 BTA16 BT134 TO-220 原装现货热销VDRM 600V
原厂直销,价格优惠,质量保证!产品参数 T=25 Characteristics(参数)Symbol(符号)Value(额定值)Units(单位)漏源反向击穿电压BV dss600V连续漏极电流I d1A栅源电压V gs±30V雪崩能量E as160mJ耗散功率P d40W储存温度T stg-55~150℃热阻(结到壳)R jc3.13℃/W正向压降V sd1.4V"