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深圳公司现货IR单N沟道MOS管SOP-8原装IRF7476TRPBF场效应管

价 格: 1.00
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:IRF7476TRPBF
封装外形:SMD(SO)/表面封装
品牌/商标:IR/国际整流器
用途:S/开关
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
功率 - 值:2.5W
电流:15A
电压:12V

FET 类型   MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能   逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)   12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)   15A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值)  8 毫欧 @ 15A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(值)   1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)   40nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)  2550pF @ 6V
功率 - 值 2.5W



公司简介
深圳四海联创电子科技有限公司是一家分销国内外知名品牌电子元器件的科技公司。本公司以“优越的产品质量、优惠的价格、稳定的货源、真诚的服务态度”,常年备有大量全新原装现货和良好的进货渠道,品种齐全,具有特强的能力为各大客户和厂商进行综合性电子元器件配套服务。
    公司经营产品广泛:存储IC、通讯IC、驱动IC、放大IC、内存、闪存、等IC集成电路。开关管、PIN管、整流管、肖特基管、变容管、稳压管、高频管、音频管、射频管、场效应管、达林顿管、复合管、带阻管、闸流管、微波管、大小中功率管等系列贴片二、三极管。钽电容、电容、电阻、电感、磁珠、发光管等各系列贴片电子元件。
      经营品牌:MITSUMI、FUJITSU、ATMEL.RICOH、NEC、SII、ON、AGAMEM、PIXEL、ROHM、JRC、 PHILIPS、INFINEON、 TDK、FAIRCHILD、ROHM、ON、VISHAY、TOSHIBA、TOREX、SEMTECH、SEIKO、NEC、KEC、ST、NSC、JRC、TI、HITACHI、AD、SONY、ZETEX、IR、LT、AGILENT、MAXIM、INLINX、ALTERA、等国内外各大品牌。
      产品广泛应用于民用、工业、军事领域的网络、数码,仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、LED照明,监控摄像头等。  随着科学技术的进步与发展,公司所有产品实行ROHS指令,推出绿色环保【PB】的高等品质产品,可为客户提供技术支持和产品解决方案!同时产品远销欧,美,日,韩及台湾等世界各地,加上我们一流服务由此深受国内外厂家与经销商的信赖与支持!

封装图片展示

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深圳四海联创电子科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 柯创林
  • 电话:
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12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7807ATRPBF场效应管

信息内容:

参数FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 8.3A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 25 毫欧 @ 7A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 17nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 未能识别功率 - 值 2.5WN沟道特定应用的MOSFET 移动式DC-DC转换器的理想选择 低传导损耗 低开关损耗 无铅描述这些新器件采用先进的HEXFET功率MOSFET技术来实现的前所未有的平衡的导通电阻和栅极电荷。减少传导损耗和开关损耗使他们成为理想的高效率DC-DC电源的转换器,一代的移动微处理器。一对IRF7807器件提供了的成本/系统的电压,如3.3V的高性能解决方案和5V。封装图片展示dzsc/18/8703/18870374.jpgdzsc/18/8703/18870374.jpgdzsc/18/8703/18870374.jpgdzsc/18/8703/18870374.jpgdzsc/18/8703/18870374.jpgdzsc/18/8703/18870374.jpg"

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12+深圳公司现货IOR/MOS管SOP-8原装IRF7809AVTRPBF场效应管

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参数FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能 逻辑电平门漏源极电压 (Vdss) 30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 13.3A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 9 毫欧 @ 15A,4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 62nC @ 5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 3780pF @ 16V功率 - 值 2.5WN-通道专用MOSFET处理CPU核心DC-DC转换器低传导损耗低开关损耗限度地减少并行MOSFET的高电流应用程序100%测试的RG无铅描述这种新的设备采用了先进的HEXFET功率MOSFET技术,实现了前所未有的导通电阻和栅极电荷平衡。减少传导和开关损耗,使得它非常适用于高高效DC-DC转换器,电源的代微处理器。所有参数进行了优化的IRF7809AV非常关键的同步降压转换器,包括RDS(上)栅极电荷和Cdv / dt引起导通免疫力。IRF7809AV提供特别低的RDS(on) 和高与Cdv /dt抗扰性同步FET应用程序的。该包装是专为气相,红外线,对流,或波峰焊技术。功率大于2W的功耗可能在一个典型的PCB安装的应用程序。 封装图片展示dzsc/18/8703/18870379.jpgdzsc/18/8703/18870379.jpgdzsc/18/8703/18870379.jpgdzsc/18/8703/18870379.jpgdzsc/18/8703/18870379.jpgdzsc/...

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