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AOD3N60 场效应N通道 600V 2.5A DPAK AO

价 格: 0.10
封装外形:SMD(SO)/表面封装
型号/规格:AOD3N60
材料:N-FET硅N沟道
用途:SW-REG/开关电源
品牌/商标:AOS/美国万代
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:耗尽型
属性:属性值

dzsc/18/8700/18870087.jpg
AOD3N60 场效应N通道 600V 2.5A DPAK AO

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深圳市福田区新亚洲电子市场二期嘉能源电子经营部
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