长期经营场效应 IRF630 IRF740
| 价 格： | 0.30 | |
| 品牌/商标： | 拆机场效应 | |
| 型号/规格： | IRF630 IRF740 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
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产品参数 T=25
| Characteristics(参数） | Symbol(符号） | Value(额定值） | Units(单位） |
| 漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
| 连续漏极电流 | I d | 2.4 | A |
| 栅源电压 | V gs | ±30 | V |
| 雪崩能量 | E as | 140 | mJ |
| 耗散功率 | P d | 64 | W |
| 储存温度 | T stg | -55～150 | ℃ |
| 热阻（结到壳） | R jc | 1.95 | ℃/W |
| 正向压降 | V sd | 1.4 | V |
曾凌群(个体经营)
公司信息未核实
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 曾凌群
- 电话：
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- 手机：15989829503
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信息内容：dzsc/18/8699/18869942.jpgdzsc/18/8699/18869942.jpgdzsc/18/8699/18869942.jpgdzsc/18/8699/18869942.jpg产品参数 T=25 Characteristics(参数）Symbol(符号）Value(额定值）Units(单位）漏源反向击穿电压BV dss600V连续漏极电流I d2.4A栅源电压V gs±30V雪崩能量E as140mJ耗散功率P d64W储存温度T stg-55～150℃热阻（结到壳）R jc1.95℃/W正向压降V sd1.4V
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