| 价 格: | 0.05 | |
| 品牌/商标: | NXP/恩智浦 | |
| 型号/规格: | BAS16 | |
| 应用范围: | 放大 | |
| 材料: | 锗(Ge) | |
| 极性: | NPN型 | |
| 结构: | 平面型 | |
| 封装形式: | 贴片型 | |
| 封装材料: | 塑料封装 |
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深圳现货
MEM2316M6G系列共漏极N沟道增强型功率场效应管,采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2316M6G使用于抵押应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他的电池电源电路。"
dzsc/19/0007/19000752.jpgMEM2308FG系列共漏极N沟道增强型功率场效应管,采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2308FG使用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。"