共漏极N沟MOSFET：MEM2316M6G场效应
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/商标： | MICRONE | |
| 型号/规格： | MEM2316M6G | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
MEM2316M6G系列共漏极N沟道增强型功率场效应管，采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2316M6G使用于抵押应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他的电池电源电路。
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信息内容：dzsc/19/0007/19000752.jpgMEM2308FG系列共漏极N沟道增强型功率场效应管,采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2308FG使用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。"
