VISHAY进口原装场效应管 SI2302DS-T1-E3
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | Vishay/威世通 | |
| 型号： | SI2302DS-T1-E3 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 33（V） | |
| 夹断电压： | 33（V） | |
| 跨导： | 33（μS） | |
| 极间电容： | 33（pF） | |
| 低频噪声系数： | 33（dB） | |
| 漏极电流： | 33（mA） | |
| 耗散功率： | 33（mW） |
制造商: Micro Commercial Components (MCC)
产品种类: MOSFET 小信号
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: 3 A
功率耗散: 1250 mW
工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
封装: Reel
最小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 3000
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈义伟
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供应原装SPP20N60C3 INFINEON场效应管
信息内容：制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.19 Ohm @ 10 V 汲极/源极击穿电压: 600 V 闸/源击穿电压: +/- 20 V 漏极连续电流: 20.7 A 功率耗散: 208000 mW 工作温度: + 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C 零件号别名: SPP20N60C3XK
新电源原装/拆机场效应管2SK2677 TO-3PF
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