价 格: | 0.10 | |
品牌: | INFINEON/英飞凌 | |
型号: | SPP20N60C3 | |
种类: | 结型(JFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MW/微波 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
开启电压: | 32(V) | |
夹断电压: | 22(V) | |
跨导: | 13(μS) | |
极间电容: | 21(pF) | |
低频噪声系数: | 11(dB) | |
漏极电流: | 22(mA) | |
耗散功率: | 33(mW) |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.19 Ohm @ 10 V
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 20.7 A
功率耗散: 208000 mW
工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
零件号别名: SPP20N60C3XK
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