专营场效应管:FQPF3N80C
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | FQPF3N80C | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 4.8 Ohms
正向跨导 gFS（值/最小值） : 3 S
汲极/源极击穿电压: 800 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 3 A
功率耗散: 39 W
工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
零件号别名: FQPF3N80C_NL
- 所属城市：广东 深圳
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仙童进口原装/国产场效应管 11N90C FQA11N90C 11N90
信息内容：仙童进口原装/国产场效应管 11N90C FQA11N90C 11N90产品图片dzsc/18/8671/18867129.jpg dzsc/18/8671/18867129.jpgdzsc/18/8671/18867129.jpg仙童进口原装/国产场效应管 11N90C FQA11N90C 11N90 仙童进口原装/国产场效应管 11N90C FQA11N90C 11N90仙童管供应仙童系列产品，品质保证！保证原装，符合ROHS环保要求。MOSFET:场效应管FSC FQP50N06 FQP70N08 FQP65N06 FQP85N06 FQP90N08 FQP33N1 FQP55N10 FQP90N10V2 FQP46N15 FQP34N20 FQP34N20 FQP13N50 FQP18N50V2 FQP5N60C FQP6N80C FQP7N80 FQP4N90 FQP4N90C FQP5N90 FQP6N90C FQA160N08 FQA70N10 FQA140N10 FQA70N15 FQA90N15 FQA34N20 FQA48N20 FQA65N20 FQA17N40 FQA35N40 FQA62N25C FQA17N40 FQA35N40 FQA16N50 FQA24N50 FQA10N80 FQA13N80 FQA7N90 FQA9N90 FQA11N90C FQL40N50 SSH70N10A FQP9N90C FQA90N08 FQA55N25 FQA62N25C FQA28N50 FQA24N60 FQP12N60 FQP70N10 FQA38N30 FQP17P06 FQP47P06 FQP12P20 FQP3P50 ISL9N304AP3 SFP9530/9540,SFP9630/9640,仙童系列IGBT系列:FGA25N135AND,FGA25N120AND FGA15N120AND HGTG18N120BND HGTG11N120CND HGTG10N120BND HGTG5N120BND SGP10N60RUFD SGH15N60RUFD SGH2...
VISHAY进口原装场效应管 SI2302DS-T1-E3
信息内容：制造商: Micro Commercial Components (MCC) 产品种类: MOSFET 小信号 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 汲极/源极击穿电压: 20 V 闸/源击穿电压: +/- 8 V 漏极连续电流: 3 A 功率耗散: 1250 mW 工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 封装: Reel 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 3000 "
