供应 MOS场效应管 芯片 IRF630
| 价 格： | 0.40 | |
| 品牌/商标： | 台湾 | |
| 型号/规格： | IRF630 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | UNI/一般用途 | |
| 封装外形： | WAFER/裸芯片 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 |
我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF630，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
产品介绍：6N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET，具有快速开关的特点。
芯片基本性质：：
芯片型号Model | IRF630 |
芯片尺寸： | 2.69*3.12 |
VDSS | 200V |
RDS(on) | 0.4(max) |
ID | 9.0A |
正面电极金属 | 铝 |
背面电极金属 | 银 |
芯片基本性质：
参考封装形式：
芯片型号 | 封装外型 | 封装类型 |
IRF630 | TO-220、 | 塑封 |
我公司可提供相关型号详细资料。
- 所属城市：辽宁
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨学
- 电话：8604152188181/2188585
- 传真：8604152188585
- 手机：13904956321
- QQ ：
供应MOS场效应管芯片 IRF640芯片
信息内容：我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF640，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！ 芯片基本性质：：芯片型号ModelIRF640芯片尺寸：3.59*4.59VDSS200VRDS(on)0.18(max)ID18.0A正面电极金属铝背面电极金属银芯片基本性质：参考封装形式：芯片型号封装外型封装类型IRF640 TO-220、塑封我公司可提供相关型号详细资料。
供应2301/2302 场效应管
信息内容：MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)额定值CHARACTERISTIC特性参数Symbol符号Rating额定值Unit单位Drain-Source Voltage漏极－源极电压VDS20VdcGate-Source Voltage栅极-源极电压VGS±8VdcDrain Current—Continuous漏极电流-连续ID3.6AdcPeak Drain Current峰值漏极电流IDM10AdcPower Dissipation耗散功率PD1.25WJunction Temperature结温Tj150℃Storage Temperature Range储存温度Tstg-55 to 150℃"
