供应MOS场效应管芯片 IRF640芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | TW | |
| 型号/规格： | IRF640 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | UNI/一般用途 | |
| 封装外形： | WAFER/裸芯片 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 |
我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF640，质量保证。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！
芯片基本性质：：
芯片型号Model | IRF640 |
芯片尺寸： | 3.59*4.59 |
VDSS | 200V |
RDS(on) | 0.18(max) |
ID | 18.0A |
正面电极金属 | 铝 |
背面电极金属 | 银 |
芯片基本性质：
参考封装形式：
芯片型号 | 封装外型 | 封装类型 |
IRF640 | TO-220、 | 塑封 |
我公司可提供相关型号详细资料。
丹东鑫原电子有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：辽宁
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信息内容：MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)额定值CHARACTERISTIC特性参数Symbol符号Rating额定值Unit单位Drain-Source Voltage漏极－源极电压VDS20VdcGate-Source Voltage栅极-源极电压VGS±8VdcDrain Current—Continuous漏极电流-连续ID3.6AdcPeak Drain Current峰值漏极电流IDM10AdcPower Dissipation耗散功率PD1.25WJunction Temperature结温Tj150℃Storage Temperature Range储存温度Tstg-55 to 150℃"
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