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【华强实体店供应】直插开关三极管 BUL903ED/BUL903 可代用13005

价 格: 1.50
是否提供加工定制:
品牌/商标:ST/意法
型号/规格:BUL903ED
应用范围:开关
材料:硅(Si)
极性:NPN型
击穿电压VCEO:400(V)
集电极允许电流ICM:5(A)
集电极耗散功率PCM:75(W)
结构:外延型
封装形式:直插型
封装材料:树脂封装

描述

  • 晶体管极性:npn型
  • 电压, Vceo:400V
  • 功耗, Pd:70W
  • 集电极直流电流:1A
  • 直流电流增益 hFE:20
  • 封装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
  • 功耗:70W
  • 封装类型:TO-220
  • 总功率, Ptot:70W
  • 晶体管类型:高电压开关+ 飞轮二极管
  • 连续电流, Ic:1A
  • 电流, Ic hFE:500mA
  • 电流, Ic :5A
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:20
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 饱和电压, Vce sat :1V

深圳市福田区华强广场新原电子销售部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 欧阳立
  • 电话:755-83200113
  • 传真:755-83200113
  • 手机:
  • QQ :
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信息内容:

电流特性曲线(X:500mV; Y:100mA;VGS:1V):因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因,测得的读数偏大。dzsc/18/8701/18870132.jpg 耐压特性曲线(X:100V; Y:500uA): dzsc/18/8701/18870132.jpg 应用案例: 1、LED 日光灯驱动电源 (T8以上内置电源):dzsc/18/8701/18870132.jpgdzsc/18/8701/18870132.jpg dzsc/18/8701/18870132.jpgdzsc/18/8701/18870132.jpgdzsc/18/8701/18870132.jpg MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关性能 在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响,以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。这里将论述这些问题,同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。 EAS,IAR和EAR的定义及测量  MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关,其最终的表现就是温度的上升,而温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。功率半导体对快速功率脉冲(时间为100~200μs)的热响应可以由式1说明:dzsc/18/8701/18870132.jpg (1)

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