价 格: | 1.50 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | ST/意法 | |
型号/规格: | BUL903ED | |
应用范围: | 开关 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCEO: | 400(V) | |
集电极允许电流ICM: | 5(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 75(W) | |
结构: | 外延型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 树脂封装 |
描述
dzsc/18/8687/18868724.jpg"
电流特性曲线(X:500mV; Y:100mA;VGS:1V):因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因,测得的读数偏大。dzsc/18/8701/18870132.jpg 耐压特性曲线(X:100V; Y:500uA): dzsc/18/8701/18870132.jpg 应用案例: 1、LED 日光灯驱动电源 (T8以上内置电源):dzsc/18/8701/18870132.jpgdzsc/18/8701/18870132.jpg dzsc/18/8701/18870132.jpgdzsc/18/8701/18870132.jpgdzsc/18/8701/18870132.jpg MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关性能 在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系,如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响,以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。这里将论述这些问题,同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。 EAS,IAR和EAR的定义及测量 MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关,其最终的表现就是温度的上升,而温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。功率半导体对快速功率脉冲(时间为100~200μs)的热响应可以由式1说明:dzsc/18/8701/18870132.jpg (1)