【华强实体店供应】LED电源用贴片场效应管 FQD2N60C/FQD2N60

价格：		1.20
品牌/商标：		FAIRCHILD/仙童
型号/规格：		FQD2N60C
种类：		绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：		N沟道
导电方式：		增强型
用途：		SW-REG/开关电源
封装外形：		SMD(SO)/表面封装
材料：		N-FET硅N沟道
开启电压：		2-4（V）
夹断电压：		0（V）
极间电容：		180（pF）
漏极电流：		1900（mA）
耗散功率：		2500（mW）

详细介绍
企业详情

电流特性曲线(X:500mV; Y:100mA;VGS:1V):

因存在线阻和测试温度和测试仪器精度等原因，测得的读数偏大。

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耐压特性曲线(X:100V; Y:500uA):

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应用：

1、LED 日光灯驱动电源（T8以上内置电源）:

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MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关性能

在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。这里将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET在非钳位感性开关条件下的工作状态。

EAS，IAR和EAR的定义及测量

　　MOSFET的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关，其最终的表现就是温度的上升，而温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。功率半导体对快速功率脉冲（时间为100～200μs）的热响应可以由式1说明：

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深圳市福田区华强广场新原电子销售部

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