价 格: | 4.00 | |
品牌: | ST/意法 | |
型号: | STP9NK50Z | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | S/开关 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 原厂规格(V) | |
夹断电压: | 原厂规格(V) | |
低频跨导: | 原厂规格(μS) | |
极间电容: | 原厂规格(pF) | |
低频噪声系数: | 原厂规格(dB) | |
漏极电流: | 原厂规格(mA) | |
耗散功率: | 原厂规格(mW) |
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制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET Power
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
封装 / 箱体: TO-220AB
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.85 Ohms
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 7.2 A
功率耗散: 110 W
工作温度: + 150 C
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
Mouser 零件编号: 610-2N3054 制造商零件编号: 2N3054制造商: Central Semiconductor说明: 双极电源 NPN Silicon Power Transistor 数据表 图像仅供参考请参阅产品规格 规格 文件我的注释 制造商: Central Semiconductor 产品种类: 双极电源 RoHS: 详细信息 封装: Reel 我司长期供应2N ,2SA ,2SB 2SC 2SD MU, MJ RF等系列晶体管,欢迎咨询QQ 838205202
标准包装50类别分离式半导体产品家庭IGBT - 单路系列PowerMESH™IGBT 类型-电压 - 集电极发射极击穿()1200VVge, Ic时的Vce(开)2.8V @ 15V, 3A电流 - 集电极 (Ic)()6A功率 - 25W输入类型标准型安装类型通孔封装/外壳TO-220-3 整包供应商设备封装TO-220FP包装管件