专营仙童三极管HGTP5N120BND 现货
| 价 格： | 面议 | |
| 是否提供加工定制： | 是 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号/规格： | HGTP5N120BND | |
| 应用范围： | 开关 | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 极性： | NPN型 | |
| 击穿电压VCEO： | 22（V） | |
| 集电极允许电流ICM： | 11（A） | |
| 集电极耗散功率PCM： | 11（W） | |
| 截止频率fT： | 11（MHz） | |
| 结构： | 点接触型 | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 封装材料： | 金属封装 |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.45 V
栅极/发射极电压: +/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 21 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
功率耗散: 167 W
工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-220AB-3
封装: Tube
集电极连续电流 Ic: 21 A
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
零件号别名: HGTP5N120BND_NL
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈义雄
- 电话：0755-82894329
- 传真：0755-82894329
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特价现货供应STP9NK50Z ST全新场效应管
信息内容：dzsc/18/8666/18866650.jpg制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET Power RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 封装 / 箱体: TO-220AB 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.85 Ohms 汲极/源极击穿电压: 500 V 闸/源击穿电压: +/- 30 V 漏极连续电流: 7.2 A 功率耗散: 110 W 工作温度: + 150 C 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C
热销三极管 2N3054 小铁帽
信息内容：Mouser 零件编号： 610-2N3054 制造商零件编号： 2N3054制造商: Central Semiconductor说明： 双极电源 NPN Silicon Power Transistor 数据表 图像仅供参考请参阅产品规格 规格 文件我的注释 制造商: Central Semiconductor 产品种类: 双极电源 RoHS: 详细信息 封装: Reel 我司长期供应2N ,2SA ,2SB 2SC 2SD MU, MJ RF等系列晶体管,欢迎咨询QQ 838205202
