现货供应AOS万代系列场效应管 MOS管 AOD448
| 价 格： | 1.50 | |
| 品牌/商标： | Alpha/阿尔法 | |
| 型号/规格： | AOD448 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 2（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
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263 262 252 251 223 MOS管
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现货供应AOS万代系列场效应管 MOS管AOU402
信息内容：dzsc/18/8664/18866405.jpgAOU402N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesVDS (V) = 60VID = 12 A (VGS = 10V)RDS(ON) < 60 mΩ (VGS = 10V)RDS(ON) < 85 mΩ (VGS = 4.5V)General DescriptionThe AOU402 uses advanced trench technology anddesign to provide excellent RDS(ON) with low gatecharge. This device is suitable for use in PWM, loadswitching and general purpose applications. StandardProduct AOU402 is Pb-free (meets ROHS & Sony259 specifications). AOU402L is a Green Productordering option. AOU402 and AOU402L areTO-251263 262 252 251 223 MOS管
现货供应AOS万代系列场效应管 MOS管AOU413
信息内容：dzsc/18/8749/18874928.jpgAOU413P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesVDS (V) = -40VID = -12A (VGS = -10V)RDS(ON) < 45mΩ (VGS = -10V)RDS(ON) < 69mΩ (VGS = -4.5V)General DescriptionThe AOU413 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and lowgate resistance. With the excellent thermal resistanceof the DPAK package, this device is well suited forhigh current load applications. Standard ProductAOU413 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259specifications). AOU413L is a Green Productordering option. AOU413 and AOU413L areelectrically identical.263 262 252 251 223 MOS管"
