现货供应AOS万代系列场效应管 MOS管AOU402
| 价 格： | 2.00 | |
| 品牌/商标： | Alpha/阿尔法 | |
| 型号/规格： | AOU402 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 1（V） | |
| 夹断电压： | 1（V） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
dzsc/18/8664/18866405.jpg
AOU402
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
VDS (V) = 60V
ID = 12 A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 60 mΩ (VGS = 10V)
RDS(ON) < 85 mΩ (VGS = 4.5V)
General Description
The AOU402 uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate
charge. This device is suitable for use in PWM, load
switching and general purpose applications. Standard
Product AOU402 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AOU402L is a Green Product
ordering option. AOU402 and AOU402L are
TO-251
263 262 252 251 223 MOS管
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现货供应AOS万代系列场效应管 MOS管AOU413
信息内容：dzsc/18/8749/18874928.jpgAOU413P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFeaturesVDS (V) = -40VID = -12A (VGS = -10V)RDS(ON) < 45mΩ (VGS = -10V)RDS(ON) < 69mΩ (VGS = -4.5V)General DescriptionThe AOU413 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and lowgate resistance. With the excellent thermal resistanceof the DPAK package, this device is well suited forhigh current load applications. Standard ProductAOU413 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259specifications). AOU413L is a Green Productordering option. AOU413 and AOU413L areelectrically identical.263 262 252 251 223 MOS管"
现货供应AOS万代系列场效应管 MOS管AOD405
信息内容：dzsc/19/0005/19000512.jpg263 262 252 251 223 MOS管
