特价现货供应 场效应管2SK30A TO-92
| 价 格： | 0.20 | |
| 品牌： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号： | 2SK30A TO-92 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | AM/调幅 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 10（V） | |
| 夹断电压： | 2（V） | |
| 低频跨导： | 10（μS） | |
| 极间电容： | 2（pF） | |
| 低频噪声系数： | 10（dB） | |
| 漏极电流： | 2（mA） | |
| 耗散功率： | 1（mW） |
SiliconNChannelJunctionTypeLowNoisePre-Amplifier,ToneControlAmplifierandDC-ACHighInputImpedanceAmplifierCircuitApplications
- 所属城市：广东 东莞
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现货供应AO8801A MOS管TSSOP-8
信息内容：AO8801A20V P-Channel MOSFET AO8801A20V P-Channel MOSFETGeneral DescriptionThe AO8801A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.Product SummaryESD ProtectedTop ViewTSSOP8 Bottom View Top View D1 S1 S1 G1 Pin 1 1 2 3 4 8 7 6 5 D2 S2 S2 G2ID IDMPD TJ, TSTGJunction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter A Maximum Junction-to-Ambient AD Maximum Junction-to-Ambient Maximum Junction-to-LeadSymbolt 10s Steady-State Steady-StateRJA RJLTyp 63 101 64Max 83 130 83Rev 0: May 2009www.aosmd.comAO8801ADYNAMIC PARAMETERS Ciss Input Capacitance Coss Crss Output Capacitance Reverse Transfer CapacitanceSWITCHING PARAMETERS Qg Total Gate Charge Qgs Gate Source Charge Qgd tD(on) tr tD(off) tf trr Qrr Gate Drain Charge Turn-On DelayTime Turn-On Rise Time Turn-Off DelayTime Turn-Off Fall Time Body Diode Reverse Recovery Time...
特价现货供应MOS管IRF3205S
信息内容：RF3205 概述 IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。 TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF3205得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率，导通阻抗。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。IRF3205 参数IRF3205 基本参数VDSS 55 VID@25℃ 98 ARDS(on)Max 8.0 mΩIRF3205 其他特性FET极性 N型沟道Qg Typ 97.3 nCIRF3205 封装与引脚TO-220AB, TO-263, TO-262 IRF3205 特性先进的工艺技术贴片安装（IRF3205S）低端通孔安装（IRF3205L）超低导通阻抗动态dv/dt率175℃工作温度快速转换速率无铅环保"
