现货供应AO8801A MOS管TSSOP-8
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌： | AOS/美国万代 | |
| 型号： | AO8801A | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | P-FET硅P沟道 | |
| 开启电压： | 50（V） | |
| 夹断电压： | 10（V） | |
| 跨导： | 12（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 20（dB） | |
| 漏极电流： | 10（mA） | |
| 耗散功率： | 2（mW） |
AO8801A
20V P-Channel MOSFET
AO8801A
20V P-Channel MOSFET
General Description
The AO8801A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.
Product Summary
ESD Protected
Top View
TSSOP8 Bottom View Top View D1 S1 S1 G1 Pin 1 1 2 3 4 8 7 6 5 D2 S2 S2 G2
ID IDM
PD TJ, TSTG
Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter A Maximum Junction-to-Ambient AD Maximum Junction-to-Ambient Maximum Junction-to-Lead
Symbol
t 10s Steady-State Steady-State
RJA RJL
Typ 63 101 64
Max 83 130 83
Rev 0: May 2009
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AO8801A
DYNAMIC PARAMETERS Ciss Input Capacitance Coss Crss Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance
SWITCHING PARAMETERS Qg Total Gate Charge Qgs Gate Source Charge Qgd tD(on) tr tD(off) tf trr Qrr Gate Drain Charge Turn-On DelayTime Turn-On Rise Time Turn-Off DelayTime Turn-Off Fall Time Body Diode Reverse Recovery Time
THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
Rev 0: May 2009
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AO8801A
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
30 -ID (A)
20 -2V 10
1.0E+01 1.0E+00
RDS(ON) (m) 1.0E-01 1.0E-02 1.0E-03 1.0E-04 1.0E-05 0.0
-VSD (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
Rev 0: May 2009
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AO8801A
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
4 -VGS (Volts)
Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note F)
0.1 Single Pulse 0.01 0.00001
PD Ton T 10 100 1000
Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Rev 0: May 2009
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AO8801A
Gate Charge Test Circuit W aveform
Vgs Qg -10V
DUT Vgs Ig
R esistive S w itching T est C ircuit W avefo rm s
D io de R ec overy T est C ircuit W aveform s
Rev 0: May 2009
Charge
t on td(on) tr t d(o ff) t off tf
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特价现货供应MOS管IRF3205S
信息内容：RF3205 概述 IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。 TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF3205得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率，导通阻抗。TO-262是IRF3205的通孔安装版，适合较低端的应用。IRF3205 参数IRF3205 基本参数VDSS 55 VID@25℃ 98 ARDS(on)Max 8.0 mΩIRF3205 其他特性FET极性 N型沟道Qg Typ 97.3 nCIRF3205 封装与引脚TO-220AB, TO-263, TO-262 IRF3205 特性先进的工艺技术贴片安装（IRF3205S）低端通孔安装（IRF3205L）超低导通阻抗动态dv/dt率175℃工作温度快速转换速率无铅环保"
特价现货供应 MOS管FDN302
信息内容：dzsc/18/8669/18866971.jpg 创立于2005年的东莞市讯微电子有限公司，自创立始就面向电子产品生产工厂提供配套电子元件的销售、服务，帮助企业解决技术层面问题，取得国内外电子器件工厂代理权。 公司主要产品有： 1.二极系列：国产/进口整流二极管，肖特二极管，稳压管二极管 2.三极管系列：开关、放大、功率、光敏 3.贴片电容：0201、0402、0603.0805、1210全系列陶瓷贴片电容器 4.电源管理IC：稳压IC;DC-DC升压IC;DC-DC降压IC;低电压检测IC;LDO稳压IC;带使能端LDO;OLED升压IC;双路输出LDO;音频放大IC;MOS管;锂电充电IC;ERPOM;升压IC;降压IC;恒流LDO;高电压输...主营范围： 1.二三极管（代理品牌：ON/仙童）2.贴片电容（代理品牌：YAGEO/WALSIN/村田/厚声） 3.电源管理IC：稳压IC;DC-DC升压IC;DC-DC降压IC;低电压检测IC;LDO稳压IC;带使能端LDO;OLED升压IC;双路输出LDO;音频放大IC;MOS管;锂..."
