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供应集成电路 AD6PS-1

价 格: 1.00
型号/规格:AD6PS-1
品牌/商标:MCP

集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比(基于硅的集成电路)和罗伯特·诺伊思(基于锗的集成电路)。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。 北京中拓瑞和电子有限公司是一家化的集成电路销售公司
公司所经营的产品广泛应用于通讯、仪器、音频视频显示、数据采集、网络、ARM开发等领域,在电力系统产品、程控交换器、通讯设备解码器、税控设备、数控设备和工控设备等领域有着丰富的配套经验。尤其在大规模可编程器件(CPLD、FPGA、PROM)、高速静态存储器(SRAM)及其它各类存储器(双口RAM、FIFO)等单片机嵌入式系统方面极具优势。中拓瑞和在北京设有贸易公司及柜台,同时在香港设有办事处,拥有稳定的供货渠道和可靠的产品质量。期待与您合作!

公司代理分销世界各国IC:ALTERA、XILINX、TI-BB、NXP(PHILIPS)、REALTEK、CYPRESS、FTDI、CIRRUS LOGIC-CRYSTAL、SAMSUNG、HYNIX、MICRON、ATMEL、MICROCHIP、WINBONG、ISSI、INTEL、NEC、IDT、MAXIM、ADI、TOSHIBA等品牌。在以下产品线极具优势:
1、ALTERA、XILINX公司的现场、系统级可编程FPGA器件;在线复杂可编程逻辑CPLD器件;配置存储器PROM等。
2、TI公司的数字信号处理器DSP及外围器件;运算放大器;模拟器件;A/D、D/A数字模拟转换器件;逻辑器件;PCI桥;430系列微处理器。ADI公司的数字信号处理器DSP。
3、ARM内核微处理器,SAMSUNG、NXP、ATMEL品牌的ARM芯片公司长期大量备有现货。
4、各类高性能八位、十六位、三十二位单片机。主要品牌有:NXP、ATMEL、MICROCHIP、WINBONG、INTEL等。
5、SAMSUNG、HYNIX、MICRON、ISSI、NEC、TOSHIBA、IDT、CYPRESS、ATMEL等公司FLASH;SDRAM、EDO;高速静态存储器SRAM、低功耗大容量SRAM;FIFO;双口RAM; EPROM;EEPROM等各类存储器。
7、通信、网络、接口(T1/E1/J1)、调制解调IC; USB接口、CAN总线、LCD显示驱动等外围IC;音频、视频、图像处理、显示控制器件;PCI器件。主要品牌有:REALTEK、CYPRESS、FTDI、CIRRUS LOGIC-CRYSTAL、NXP、PLX等。
8、利用国际采购平台,为客户提供各类偏冷门及停产IC。

公司在ALTERA,XILINX的FPGA,CPLD器件,TI的DSP及外围器件,Samsung的ARM微处理器等方面在同行中价格优势显著,并且有大量全新原装国内现货,可以长期迅捷稳定的给您提供优质服务。同时其他国际品牌的IC,我们也有可靠渠道,可以为您提供一条龙服务。

同时经营产品:三菱、三社、三垦、富士、东芝、西门子、西门康、摩托罗拉、IR、日立、新电元、日本国际电子公司(日本)、仙童半导体等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、快恢复二极管、整流桥;日立电解电容、美国CDE吸收高频无感电容、日本大功率制动电阻、进口快速熔断器;各进口品牌驱动电路、三菱IPM专用插座、光耦、LEM厂家电流电压传感器以及美国 VICOR公司、日本LAMBDA公司、日本TDK厂家、日本科索公司、香港ASTEC厂家、美国LUCENT朗讯等厂家生产的DC/DC、AC/DC、及功率因数校正电源模块,全系列DC/DC电源模块进口配套专用散热片等。 客户涉及:航天、军工科研,仪器仪表,安防,智能交通,通信、船舶工业、自动化控制、影音产品等行业。 选择中拓瑞和,选择精品!为您服务,祝您腾飞!精诚合作,共赢天下! 中拓以“薄利多销、服务至上”为经营理念,将以优质的产品、优惠的价格、快捷的服务期待着与您合作!  

北京中拓瑞和电子有限公司
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  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 王肖涵,李小姐,陈先生,周小姐
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供应德国IXYS快恢复二极管DSEI2X61-04C

信息内容:

快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。 快恢复二极管 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装, 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。 检测方法 1)测量反向恢复时间 测量电路如图3。由直流电流源...

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供应快恢复二极管230PIV1000

信息内容:

快恢复、超快恢复二极管的结构特点 快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I,构成P-I-N硅片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了trr值,还降低了瞬态正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。 dzsc/19/0000/19000007.jpg 快恢复二极管 20A以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用TO-220封装形式。从内部结构看,可分成单管、对管(亦称双管)两种。对管内部包含两只快恢复二极管,根据两只二极管接法的不同,又有共阴对管、共阳对管之分。图2(a)是C20-04型快恢复二极管(单管)的外形及内部结构。(b)图和(c)图分别是C92-02型(共阴对管)、MUR1680A型(共阳对管)超快恢复二极管的外形与构造。它们均采用TO-220塑料封装, 几十安的快恢复二极管一般采用TO-3P金属壳封装。更大容量(几百安~几千安)的管子则采用螺栓型或平板型封装形式。 编辑本段检测方法 1)测量反向恢复时间...

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