价 格: | 面议 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | HGTP10N120BN | |
应用范围: | 高反压 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCEO: | 1200(V) | |
集电极允许电流ICM: | 35(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 298(W) | |
结构: | 肖特基 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 铁头 |
400 |
分离式半导体产品 |
IGBT - 单路 |
- |
NPT |
1200V |
2.7V @ 15V, 10A |
35A |
298W |
标准型 |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220AB |
制造商: STMicroelectronics 产品种类: 线性稳压器 - 标准 RoHS: 详细信息 极性: Positive 输出端数量: 1 输出类型: Fixed 输出电压: 24 V 输出电流: 1.5 A 线路调整率: 480 mV 负载调节: 480 mV 回动电压(值): 2 V 输入电压: 35 V 工作温度: + 125 C 最小工作温度: 0 C 封装 / 箱体: TO-220 封装: Tube 安装风格: Through Hole Standard Pack Qty: 1000 "
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.45 V 栅极/发射极电压: +/- 20 V Continuous Collector Current at 25 C: 21 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA 功率耗散: 167 W 工作温度: + 150 C 封装 / 箱体: TO-220AB-3 封装: Tube 集电极连续电流 Ic: 21 A 最小工作温度: - 55 C 安装风格: Through Hole 零件号别名: HGTP5N120BND_NL