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FSC仙童IGBT晶体管 三极管HGTP10N120BN

价 格: 面议
是否提供加工定制:
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:HGTP10N120BN
应用范围:高反压
材料:硅(Si)
极性:NPN型
击穿电压VCEO:1200(V)
集电极允许电流ICM:35(A)
集电极耗散功率PCM:298(W)
结构:肖特基
封装形式:直插型
封装材料:铁头

标准包装类别家庭系列IGBT 类型电压 - 集电极发射极击穿()Vge, Ic时的Vce(开)电流 - 集电极 (Ic)()功率 - 输入类型安装类型封装/外壳供应商设备封装
400
分离式半导体产品
IGBT - 单路
-
NPT
1200V
2.7V @ 15V, 10A
35A
298W
标准型
通孔
TO-220-3
TO-220AB
"

深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈义雄
  • 电话:0755-82894329
  • 传真:0755-82894329
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公司相关产品

专营三极管 L7824 L7824CV TO-220全新原装

信息内容:

制造商: STMicroelectronics 产品种类: 线性稳压器 - 标准 RoHS: 详细信息 极性: Positive 输出端数量: 1 输出类型: Fixed 输出电压: 24 V 输出电流: 1.5 A 线路调整率: 480 mV 负载调节: 480 mV 回动电压(值): 2 V 输入电压: 35 V 工作温度: + 125 C 最小工作温度: 0 C 封装 / 箱体: TO-220 封装: Tube 安装风格: Through Hole Standard Pack Qty: 1000 "

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专营仙童三极管HGTP5N120BND 现货

信息内容:

制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.45 V 栅极/发射极电压: +/- 20 V Continuous Collector Current at 25 C: 21 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA 功率耗散: 167 W 工作温度: + 150 C 封装 / 箱体: TO-220AB-3 封装: Tube 集电极连续电流 Ic: 21 A 最小工作温度: - 55 C 安装风格: Through Hole 零件号别名: HGTP5N120BND_NL

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