价 格: | 0.10 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
型号/规格: | SI4435DY/KI4435DY SOP8 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
品牌/商标: | 科信 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 结型(JFET) | |
导电方式: | 耗尽型 |
dzsc/18/8648/18864838.jpg
dzsc/18/8648/18864838.jpg
特点:
(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;
dzsc/18/8650/18865092.jpg特点: (1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;
dzsc/18/8651/18865135.jpgdzsc/18/8651/18865135.jpg 特点: (1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;