| 价 格: | 0.10 | |
| 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格: | SI9926DY/KI9926DY SOP8 | |
| 材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
| 用途: | A/宽频带放大 | |
| 品牌/商标: | 科信 | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 导电方式: | 耗尽型 |
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特点:
(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;
dzsc/18/8675/18867568.jpgdzsc/18/8675/18867568.jpg 特点: (1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;
dzsc/19/0515/19051556.jpgdzsc/19/0515/19051556.jpg特点: (1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS来控制ID;