英飞凌特价供应场效应MOS管 SPA20N60C3 20N60C3
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号： | SPA20N60C3 20N60C3 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | SYM/对称类 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | GaAS-FET砷化镓 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 222（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） |
全新环保 进口原装 现货热卖场效应管 SPA20N60C3 20N60C3
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SPA20N60C3 20N60C3产品规格 参数
数据列表 SP(P,I,A)20N60C3
产品相片 TO-220AB Full-Pak
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets TO-220FP
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20.7A
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 190 毫欧 @ 13.1A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（） 3.9V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 114nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2400pF @ 25V
功率 - 34.5W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商设备封装 PG-TO220-FP
包装 管件
其它名称 SP000013659
SP000216354
SPA20N60C3IN
SPA20N60C3X
SPA20N60C3XTIN
SPA20N60C3XTIN-ND
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
专营MOS场效应管12N60
信息内容：dzsc/18/8640/18864047.jpg晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型BD681 100V 4A 40W * * NPNBD244 45V 6A 65W * * PNPBD243 45V 6A 65W * * NPN晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型2SB1316 100V 2A 10W 15000 * PNP(达林顿）2SB1243 40V 3A 1W * 70MHZ PNP2SB1240 40V 2A 1W * 100MHZ PNP2SB1238 80V 0.7A 1W * 100MHZ PNP2SB1185 60V 3A 25W * 75MHZ PNP2SB1079 100V 20A 100W 5000 * PNP(达林顿）2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿）2SB834 60V 3A 30W * * PNP2SB817 160V 12A 100W * * PNP2SB772 40V 3A 10W * * PNP2SB744 70V 3A 10W * * PNP2SB734 60V 1A 1W * * PNP2SB688 120V 8A 80W * * PNP2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿）2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿）晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型2SB649 180V 1.5A 1W * * PNP2SB647 120V 1A 0.9W * 140MHZ PNP2SB449 50V 3.5A 22W * * PNP2SA1943 230V 15A 150W * * PNP2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP2SA1444...
IR原装场效应管/优势价场效应管 IRFZ24N IRFZ24NPBF 现货
信息内容：IR原装场效应管/优势价场效应管 IRFZ24N IRFZ24NPBF IR原装场效应管/优势价场效应管 IRFZ24N IRFZ24NPBF IRFZ24N IRFZ24NPBF产品规格 参数 数据列表 IRFZ24NPbF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 17A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 70 毫欧 @ 10A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 370pF @ 25V 功率 - 45W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFZ24NPBF
