专营MOS场效应管12N60
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌： | 进口/国产 | |
| 型号： | 12N60 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | P沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 33（V） | |
| 夹断电压： | 33（V） | |
| 跨导： | 33（μS） | |
| 极间电容： | 33（pF） | |
| 低频噪声系数： | 33（dB） | |
| 漏极电流： | 33（mA） | |
| 耗散功率： | 33（mW） |
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晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型
BD681 100V 4A 40W * * NPN
BD244 45V 6A 65W * * PNP
BD243 45V 6A 65W * * NPN
晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型
2SB1316 100V 2A 10W 15000 * PNP(达林顿）
2SB1243 40V 3A 1W * 70MHZ PNP
2SB1240 40V 2A 1W * 100MHZ PNP
2SB1238 80V 0.7A 1W * 100MHZ PNP
2SB1185 60V 3A 25W * 75MHZ PNP
2SB1079 100V 20A 100W 5000 * PNP(达林顿）
2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿）
2SB834 60V 3A 30W * * PNP
2SB817 160V 12A 100W * * PNP
2SB772 40V 3A 10W * * PNP
2SB744 70V 3A 10W * * PNP
2SB734 60V 1A 1W * * PNP
2SB688 120V 8A 80W * * PNP
2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿）
2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿）
晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型
2SB649 180V 1.5A 1W * * PNP
2SB647 120V 1A 0.9W * 140MHZ PNP
2SB449 50V 3.5A 22W * * PNP
2SA1943 230V 15A 150W * * PNP
2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP
2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP
2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP
2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP
2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP
2SA1358 120V 1A 10W * 120MHZ PNP
2SA1302 200V 15A 150W * * PNP
2SA1301 200V 10A 100W * * PNP
2SA1295 230V 17A 200W * * PNP
2SA1265 140V 10A 30W * * PNP
2SA1216 180V 17A 200W * * PNP
BD238 100V 2A 25W * * PNP
BD237 100V 2A 25W * * NPN
BD138 60V 1.5A 12.5W * * PNP
BD137 60V 1.5A 12.5W * * NPN
BD136 45V 1.5A 12.5W * * PNP
BD135 45V 1.5A 12.5W * * NPN
BC547 50V 0.2A 0.5W * 300MHZ NPN
BC546 80V 0.2A 0.5W * * NPN
BC338 50V 0.8A 0.6W * * NPN
BC337 50V 0.8A 0.6W * * NPN
BC327 50V 0.8 0.6W * * PNP
BC307 50V 0.2AA 0.3W * * PNP
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IR原装场效应管/优势价场效应管 IRFZ24N IRFZ24NPBF 现货
信息内容：IR原装场效应管/优势价场效应管 IRFZ24N IRFZ24NPBF IR原装场效应管/优势价场效应管 IRFZ24N IRFZ24NPBF IRFZ24N IRFZ24NPBF产品规格 参数 数据列表 IRFZ24NPbF 产品相片 TO-220AB PKG 产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB 标准包装 50类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 17A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 70 毫欧 @ 10A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 370pF @ 25V 功率 - 45W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 *IRFZ24NPBF
IR场效应管全新原装进口 IRFPE30 IRFPE30PBF
信息内容：IR场效应管全新原装进口 IRFPE30 IRFPE30PBF IR场效应管全新原装进口 IRFPE30 IRFPE30PBF IRFPE30 IRFPE30PBF 产品规格 参数 Datasheets IRFPE30Product Photos TO-247-3Catalog Drawings IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2Standard Package 500Category Discrete Semiconductor ProductsFamily FETs - SingleSeries -FET Type MOSFET N-Channel, Metal OxideFET Feature StandardDrain to Source Voltage (Vdss) 800VCurrent - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.1ARds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2.5A, 10VVgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µAGate Charge (Qg) @ Vgs 78nC @ 10VInput Capacitance (Ciss) @ Vds 1300pF @ 25VPower - Max 125WMounting Type Through HolePackage / Case TO-247-3Supplier Device Package TO-247-3Packaging TubeOther Names *IRFPE30
