| 价 格: | 面议 | |
| 品牌: | FUJI/富士通 | |
| 型号: | 2SK2654 | |
| 种类: | 结型(JFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MOS-INM/独立组件 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | SENSEFET电流敏感 | |
| 开启电压: | 22(V) | |
| 夹断电压: | 22(V) | |
| 跨导: | 22(μS) | |
| 极间电容: | 22(pF) | |
| 低频噪声系数: | 22(dB) | |
| 漏极电流: | 22(mA) | |
| 耗散功率: | 22(mW) |
富士通全系列原装场效应管 2SK2654
富士通全系列原装场效应管 2SK2654
我们的公司:
深圳市福田区宏诚辉电子商行代理、分销进口原装世界知名品牌单片机、集成电路IC、二三极管、电阻电容和模块,主要产品有:ATMEL、NXP/PHI、ST、TI、ON、AD、INTERSIL、TOREX、SAMSUN、NS、国巨、厚声等品牌,并有一定渠道订购偏冷门和停产IC。
我司还与一些代理商建立了良好的合作关系,在国内也有不少国内工厂的支持,因此我司接受批量订购,价格优惠。
我们的优势:
我们的优势,除了能为客户向工厂提供订货的服务外,本司在光耦、模块、74系列、MAX、AT等产品上货源充足,价格有一定优势。
我们的价值观:
成就客户—我们致力于每位客户的满意和成功。
诚信正直—我们秉持信任、诚实和富有责任感,无论是对内部还是外部。
达成双赢—我们除了尽量满足客户的需求,更主要的是达到双赢,为客户的利益着想,达到共同发展。
我们的诚信:
深圳宏诚辉电子商行实力雄厚,重信用、守合同、保证产品质量,以多品种经营特色和薄利多销的原则,赢得了广大客户的信任。
专营 VISHAY威士 MOS场效应管 FEPB16DT-E3/81产品图片dzsc/18/8638/18863895.jpgdzsc/18/8638/18863895.jpg专营 VISHAY威士 MOS场效应管 FEPB16DT-E3/81 专营 VISHAY威士 MOS场效应管 FEPB16DT-E3/81 威士场效应管 SI1012R SI6469DQ-T1-E3 SI4488DY-T1-E3 SUB50P0513LTSI1012X SI6473DQ SI4490DY-T1-E3 SUB60N0415LTSI1013R SI6473DQ-T1-E3 SI4496DY-T1-E3 SUB60N0618SI1013X SI6475DQ SI4500DY-T1-E3 SUB60N06-18SI1016X SI6475DQ-T1-E3 SI4501DY-T1-E3 SUB65P0415SI1021R SI647DQ-T1-E3 SI4503DY-T1-E3 SUB65P04-15SI1022R SI6542DQ SI4505DY-T1-E3 SUB65P06SI1023X SI6542DQ-T1-E3 SI4532ADY-T1-E3 SUB65P0620SI1024X SI6543DQ SI4532DY-T1-E3 SUB65P06-20SI1025X SI6543DQ-T1-E3 SI4539ADY-T1-E3 SUB70N03SI1026X SI6544BDQ SI4539DY-T1-E3 SUB70N0309BPSI1029X SI6544BDQ-T1-E3 SI4542DY-T1-E3 SUB70N03-09PSI1031R SI6544DQ-T1-E3 SI4544DY-T1-E3 SUB70N0410SI1031X SI6552DQ SI4558DY-T1-E3 SUB70N0614SI1032R SI6552DQ-T1-E3 SI4559DY-T1-E3 SUB70N06-14SI1032X SI6562DQ SI4559EY-T1 SUB75N0304SI1033X SI6562DQ-T1-E3 SI4559EY-T1-E3 SUB75N03-04SI1034X SI6801...
全新环保 进口原装 现货热卖场效应管 SPA20N60C3 20N60C3全新环保 进口原装 现货热卖场效应管 SPA20N60C3 20N60C3 SPA20N60C3 20N60C3产品规格 参数 数据列表 SP(P,I,A)20N60C3 产品相片 TO-220AB Full-Pak 产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters 产品目录绘图 Mosfets TO-220FP 标准包装 500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 CoolMOS™FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 650V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20.7A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 190 毫欧 @ 13.1A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 3.9V @ 1mA 闸电荷(Qg) @ Vgs 114nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2400pF @ 25V 功率 - 34.5W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 整包 供应商设备封装 PG-TO220-FP 包装 管件 其它名称 SP000013659SP000216354SPA20N60C3INSPA20N60C3XSPA20N60C3XTINSPA20N60C3XTIN-ND