东芝场效应管 K3569 2SK3569 日本产地 原装/散新
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOSHIBA/东芝 | |
| 型号： | K3569 2SK3569 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | SB肖特基势垒栅 | |
| 开启电压： | 33（V） | |
| 夹断电压： | 3（V） | |
| 跨导： | 3（μS） | |
| 极间电容： | 33（pF） | |
| 低频噪声系数： | 33（dB） | |
| 漏极电流： | 33（mA） | |
| 耗散功率： | 33（mW） |
东芝场效应管 K3569 2SK3569 日本产地 原装/散新
东芝场效应管 K3569 2SK3569 日本产地 原装/散新
K3569 2SK3569产品规格 参数
Datasheets 2SK3569
Mosfets Prod Guide
Product Photos 2SK3569(Q)
Catalog Drawings TO-220SIS Side 3
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1500pF @ 25V
Power - Max 45W
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Supplier Device Package TO-220SIS
Packaging Tube
Other Names 2SK3569(Q)
2SK3569Q
2SK3569Q-ND
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义伟
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富士通全系列原装场效应管 2SK2654
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专营 VISHAY威士 MOS场效应管 FEPB16DT-E3/81特价
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